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溅射镀膜

溅射镀膜，镀膜设备厂，是不采用蒸发技术的物理气相沉积方法。施镀时，将工作室---真空，充入氢气作为工作气体，并保持其压力为0.13-1.33pa，以沉积物质作为靶阴极并加上数百至数千伏的负压，以工件为阳极，两侧灯丝带负压-30-100v。加热灯丝至1700℃左右时，灯丝发射出的电子使氢气发生辉光放电，产生出氢离子h+，h+被加速轰击靶材，使靶材迸发出原子或分子溅射到工件表面上，形成沉积层。

溅射法可用于沉积各种导电材料，包括高熔点金属及化合物。如果用tic作靶材，便可以在工件上直接沉积tic涂层。当然，也可以用金属ti作靶，再导入反应气体，进行反应性溅射，溅射涂层均匀但沉积速度慢，不适于沉积105mm以上厚度的涂层。溅射可使基体温度升高到500-600℃，因此，只适用于在此温度下具有二次硬化的钢制模具加工。

常压化学气相沉积npcvd或---压下化学气相沉积apcvd是在0.01—0.1mpa压力下进行，低压化学气相沉积lpcvd则在10-4 mpa下进行。cvd或辉光放电cvd，是低压cvd的一种形式，真空镀膜设备价格，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

cvd的进一步发展是化学气相浸渍cvi ，或称化学气相注入，在这种工艺中由多孔材料制成的物件被注入某种元素以强化基材性能。

等离子辅助cvdpacvd，也称为等离子活化cvd，等离子援助cvd，等离子增强cvd。